造不出EUV光刻机？中科院宣布好消息，ASML的举动失效了

在我们芯片国产化的道路上，EUV光刻机堪称是最大的“绊脚石”，全球能制造该设备的只有荷兰光刻巨头ASML。但是它的产线上却含有20%以上的美系技术零件，受到老美出口管制规则的约束，而且ASML大多数研发中心都在美国，这意味着ASML很难站在我们这边。

事实也的确如此，我国为了实现芯片国产化，在决定自主研发EUV光刻设备之时，ASML首席官Peter就公开泼来冷水，表示：即便给中国图纸，他们也无法造出价值1.2美元的EUV光刻机。

ASML这种近乎“嘲讽”的言论，无非是想浇灭我们自主研发的动力与决心。

造不出EUV光刻机？

不过，经历过“卡脖子”之痛的国内芯片市场，又怎么可能会因为外界的不看好而退缩呢？在关键时刻，中科院、清北等国内科研机构挺身而出，主动接下EUV的研发重任，并成立了专项攻关技术小组。

光刻机的工作原理是利用光源技术在晶圆上完成相应集成电路图的刻画，也就是说，光源是最核心、难度最高的技术。

令人振奋的是，在光源领域，唐传祥教授带领的清华科研团队探索出了一种新型粒子加速器“稳态微聚束”，基于SSMB原理，“稳态微聚束”能产生高功率、高重频的相干光，波长可从太赫兹覆盖到极紫外光波段。

而极紫外光正是EUV最所用到的光源。这意味着，EUV光刻设备的国产化，已经成功了一半，而且清华科研团队自主可控的这项光源成果，其应用范围要比EUV极紫外光更加广泛。

中科院宣布好消息

很显然，清华大学在一定程度上已经打破了EUV的难产论。而近日，中科院也传来了好消息，关于EUV的研发，国内又有了新的突破。

据公开资料显示，中科院旗下的上海“光交所”，提出了光源临近修复技术的解决方案，简称OPC。实验证明，该技术可以在光刻设备硬件不变的情况下，优化光源系统与晶圆良品率，从而提升光刻分辨率，制造出精度更高、性能更好的晶圆。

在传统硅基芯片工艺即将触及物理极限之时，国内OPC技术的诞生，或将实现摩尔定律的延续。

对正在破冰EUV设备的国内市场来说，OPC技术将为后续的研发提供有力的技术支持，更能提升我们一鼓作气翻过EUV这座大山的信心。

ASML的举动毫无意义

关于我国光刻研发的进展，ASML态度的转变或许是最有说服力的。

最初认为我们难以造出EUV光刻机的ASML高管，在一次线上活动中明确表态：芯片断供只会适得其反，五年时间，中国将打破半导体领域的所有垄断，包括EUV光刻机。

另外，ASML从去年末至今，在国内市场的布局更说明问题。

先是与中芯国际达成了一份价值12亿美元的光刻出口协议，在第一季度又接连出口给我国市场11台多种类型的光刻机。

很显然，我们在光刻领域的崛起，让ASML感受到了危机。

一方面是因为它不想被排除在中国市场之外；另一方面是，我国一旦在光刻领域实现了国产化，那么必然会拉低光刻机高昂的价格，甚至会冲击到ASML在该领域的地位。

不过，ASML示好出口的这些举动将毫无意义。因为经历过“卡脖子”的惨痛教训，我们不会再因为外界态度的转变而放慢自研的脚步，EUV的国产化势在必行。何况ASML说得好听，可迄今而至，连一台EUV都没有卖给我们。

总结

我国半导体产业的快速崛起来之不易，是华为等中企用“卡脖子”之痛唤醒了我们自主研发的决心，让我们彻底放弃对海外的幻想。不管是ASML也好、台积电也罢，根本指望不上他们能雪中送炭。

老美三年四次制裁更让我们看清了一个事实，所谓的贸易公平是建立在自身强大的基础之上。只有做到手中有粮，才能遇事不慌。

庆幸的是，国内科学家们没有让国人失望，随着EUV的进一步推进，国产半导体的护城河就将搭建完毕，届时，我们将完全洗刷近几年被技术封锁的耻辱！