Intel芯片工艺大革新：制程玩起数字游戏，将为高通代工芯片

Intel最近在芯片领域，可以说是大出风头，一方面传闻要300亿美元收购格芯，另一方面也有消息称Intel将会改变自己芯片工艺的名称。加上Intel早早就宣布了明年开始将会为第三方厂商代工芯片，所以Intel在芯片技术和发展上就格外引人关注。而在近日Intel的工艺及封装大会上，Intel就正式公布了新的芯片工艺路线图，可以说Intel彻底颠覆了以往人们对芯片工艺的一贯认知。

Intel现在的芯片工艺是10nm，而在后年将会发布7nm的工艺。虽然说Intel的10nm就能相当于台积电的7nm，甚至和三星的5nm差不多；7nm则可以和台积电的5nm一拼高下，还要强于三星的3nm。但是从命名方式来看，大家总觉得台积电和三星的芯片工艺会领先Intel很多，这对于Intel的宣传而言的确不利，特别是明年Intel就要开展芯片代工业务，这样的命名方式让他们很难和三星以及台积电去竞争。

所以很早就有网友调侃：Intel应该将自己的10nm改称7nm，将自己的7nm改称5nm，反正技术能力都和台积电差不多。没想到的是，在这次大会上，Intel就从善如流，真的将自己的芯片工艺命名防守进行了更换。当然Intel还是要脸的，肯定无法将自己的10nm以及7nm直接修改成更小的制程工艺，所以Intel玩起了数字游戏。

简单来说，Intel将目前自己使用的10nm芯片工艺改为Intel 7，而7nm变成了Intel 4，未来还有Intel 3、Intel 20A。实际上这也是在暗示自家的10nm工艺可以和台积电的7nm相当，而7nm工艺则和台积电三星的4nm工艺处于同一水平。这样既不用厚着脸皮地直接修改成更先进的工艺制程，也能让用户比较了解Intel的芯片技术，现在到底处于什么样一个水平。

不过这次Intel公布的芯片技术，都是还没有正式发布产品的芯片工艺。桌面处理器之前都是14nm就不用说了，移动平台的10nm工艺依然不会改名，还是叫10nm Superfin。而Intel 7这种工艺会在今年下半年的十二代酷睿处理器上首发，实际上就是之前Intel已经公布的10nm Enhanced SuperFin工艺，算是10nm的改进型芯片工艺，每瓦性能会比早前的10nm工艺提升10-15%。是的，Intel也直接在芯片工艺上用每瓦性能的标准了。

至于Intel 4，就是之前的7nm工艺，这会是Intel首个应用EUV光刻工艺的FinFET工艺，每瓦性能提升20%，2022年下半年开始生产，2023年产品出货，就是之前的7nm Meteor Lake处理器，我们称之为十四代酷睿。现在Intel 4芯片已经流片，开始试产，看起来进展还是很顺利，这个工艺的水准堪比台积电的4nm，甚至比三星的3nm还强，真是让三星情何以堪。

Intel 4工艺之后是Intel 3工艺，是最后一代FinFET工艺，每瓦性能提升18%，2023年下半年开始生产。 再往后Intel会转向GAA晶体管，新工艺名为Intel 20A，会升级两大突破性技术——PowerVia、RibbonFET，前者是Intel独创的供电技术，后者是GAA晶体管的Intel技术实现，预计2024年问世。至于2025年之后，Intel还会有Intel 18A的芯片工艺，会用上ASML最新的NA EUV光刻机，但是实际的发布时间就不清楚了。

另外值得一提的是，Intel正式宣布自己的芯片代工业务已经迎来一个重要的合作伙伴，这就是高通。也就是说未来高通的芯片将使用Intel的代工，这是高通和Intel第一次在芯片上进行合作，这无疑也是目前Intel在芯片代工业务上最重要的一个客户。

但是想要看到Intel生产的高通芯片，大家还要等待很长的一段时间。因为高通会采用Intel 20A工艺来生产芯片，如果不跳票的话，至少也要等2024年才能量产，还有三年的时间。按照Intel的尿性，如果跳票延期的话，说不定还要多等上两年。当然现在既然Intel要进行芯片代工业务，技术迭新这一部分，肯定是不能像以前这样挤牙膏了。

无论如何，现在Intel在芯片工艺方面，至少在命名上是已经追上了台积电和三星。当然时间上对Intel还是有一些问题，比如说现在的台积电和三星都已经量产5nm，4nm也会在明年量产，而Intel 4芯片则要等到后年才会问世。不过按照Intel的路线图，如果Intel 3和Intel 20A能如期研发成功并且有芯片上市，那么在技术上就彻底追上了台积电和三星。